Rychlejší paměti nové generace
Honba za stále vyšším výkonem neprobíhá jen na poli procesorů, ale i paměťových prvků, a to zejména v oblasti systémů určených pro grafiku. Na trh se připravuje nástup nové generace grafických karet vybavených i novými typy pamětí.
Jejich významným inovačním prvkem by měla být vyšší propustnost umožňující rychlejší přenos větších objemů dat, což je důležitý faktor zejména pro novou generaci zobrazovacích zařízení s vysokým rozlišením. Stejně tak se výrobci snaží dosáhnout i energetické úspornosti. Nová generace grafických pamětí tak nabídne dvojnásobnou kapacitu i propustnost při nižší spotřebě.
Grafický rychlík GDDR6
Společnost SK Hynix představila na jaře průmyslové paměti kategorie GDDR6 (Graphic DDR6), vyráběné pomocí 22nm technologie s kapacitou 8 Gb (resp. 1 GB) na jednom čipu a propustností 16 Gb/s na jeden pin. I přes dvakrát vyšší rychlost než u paměti předchozí generace mají GDDR6 o 10 % nižší nároky na napětí, což znamená snížení spotřeby. Se zahájením hromadné výroby GDDR6 počítá SK Hynix ještě letos a už počátkem příštího roku by se měly objevit první grafické karty vybavené paměťovými moduly tohoto typu.
S novými pamětmi GDDR6 se už pochlubila i firma Samsung, která letos dokonce sesadila z pozice největšího výrobce čipů Intel. Její paměti, které představila v podobě 512GB čipu, dosahují rovněž rychlosti 64 GB/s a i přes dvojnásobnou kapacitu a rychlost je přitom napětí pro tuto paměť nižší (1,35 V) než u minulé generace (1,5 V).
Nejsou to však jen grafické systémy, kam Samsung zaměřuje svou pozornost. Koncem září zahájil výrobu nové generace prvních průmyslových pamětí typu Universal Flash Storage (eUFS), které by měly nalézt uplatnění v inteligentních systémech nových automobilů. První průmyslové řešení pro ukládání dat ve standardním formátu Flash (eUFS) zahrnuje paměťové moduly o kapacitě 64 a 128 GB. Je navrženo speciálně pro pokročilé asistenční systémy, palubní desky nové generace a infotainment systémy, které poskytují řadu připojených funkcí pro řidiče a cestující. Nové čipy jsou téměř 3,4krát rychlejší, než ty v současnosti používané, pracující na technologii eMMC 5.0. Díky vysoké rychlosti čtení dat, která dosahuje až 850 MB/s, budou vhodné např. pro využití v systémech autonomního řízení, jež vyžadují výkonný, rychlý a spolehlivý hardware. Uvnitř regulátoru čipu je snímač teploty pro spolehlivou termokontrolu. Zabrání se tím, aby jednotka eUFS překročila definované horní a dolní hranice teploty, a také se zajistí, aby její NAND buňky bezchybně fungovaly v prostředí s vysokou teplotou, typickou pro automobilové aplikace.
Nové řešení nabízí efektivní a spolehlivý proces nakládání s chybami, nezbytný pro infotainment ve vozidlech nové generace. Na základě protokolu MIPI UniPro umožňuje detekovat a opravit chyby I/O na hardwarových vrstvách, bez nutnosti zásahu hostitelského software nebo restartu úlohy. Systém eUFS navíc podporuje pokročilé obnovování dat umožňující volbu metod obnovy a poskytuje informace o obnovovací jednotce, frekvenci a postupu řízení hostitelského zařízení. To zajišťuje vysokou spolehlivost dat. Samsung věří, že nové eUFS čipy se rychle rozšíří mezi výrobci automobilů, kde panuje po moderních paměťových čipech velká poptávka.
Expres zvaný HBM2
Samsung má ve svém portfoliu i nejrychlejší průmyslové DRAM - 8GB paměťové vysokopásmové moduly HBM2 (High Bandwidth Memory 2), které představil loni v červnu. Jsou určeny pro nejnáročnější serverové aplikace s vysokým výkonem v široké škále aplikací včetně umělé inteligence, HPC (high-performance computing), pokročilé grafiky, síťových systémů, strojového učení nebo paralelních výpočtů apod. HBM2 se může pochlubit přenosovou rychlostí 256 GB/s, která nabízí více než 8násobný nárůst oproti čipu GDDR5 DRAM s kapacitou 32 GB/s a dvojnásobnou kapacitou, než je 4 GB u předchozí HBM2 umožňující zvýšení výkonnosti systému i energetické účinnosti.
364
